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半导体装置  
 【申请号】  CN201710213345.9  【申请日】  2017-03-30
 【公开号】  CN107272478A  【公开日】  2017-10-20
 【申请人】  瑞萨电子株式会社  【地址】  日本东京
 【共同申请人】  
 【发明人】  小岛勇介;横井芳彦
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  欧阳帆
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及半导体装置。在相关技术中的半导体装置中,将功率元件的阈值电压与栅极驱动器的电路操作匹配是必须的;因此,实现最适于所采用的功率元件的栅极驱动器的操作是困难的。根据一个实施例,当功率元件被关断时,半导体装置监控功率元件的集电极电压,并且在直到集电极电压变为低于预设确定阈值之前的期间,相比在集电极电压变为低于确定阈值之后的期间,半导体装置增加从功率元件的栅极抽取电荷的NMOS晶体管的数量。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:栅极布线,耦接到包括第一端子、第二端子和控制端子的功率元件的栅极;多个NMOS晶体管,耦接在所述栅极布线和接地布线之间;晶体管选择电路,在所述NMOS晶体管之中选择要激活的晶体管,并向所选择的晶体管输出激活指令信号;栅极模式设定电路,基于用于控制所述功率元件的导通#关断状态的栅极控制信号并基于所述激活指令信号来控制所述晶体管选择电路所选择的晶体管的导通#关断状态;第一电压监控电路,确定所述第二端子的电压是否已经超过预先设定的关断确定阈值;以及预升压电路,在所述第一电压监控电路中确定所述第二端子的电压超过所述关断确定阈值的期间,通过使用所述栅极模式设定电路来控制所述NMOS晶体管以处于导通状态,以及在确定所述第二端子的电压没有超过所述关断确定阈值的期间,相比在所述第二端子的电压超过所述关断确定阈值的期间被控制处于导通状态下的NMOS晶体管的数量,控制所述NMOS晶体管以增加被控制处于导通状态下的NMOS晶体管的数量。
 【页数】  22
 【主分类号】  G05B19/042
 【专利分类号】  G05B19/042
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