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氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置  
 【申请号】  CN201680013345.8  【申请日】  2016-02-25
 【公开号】  CN107406966A  【公开日】  2017-11-28
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  冈崎健一;肥塚纯一;生内俊光;斋藤晓;山崎舜平
 【国际申请】  2016-02-25 PCT/IB2016/051020  【国际公布】  2016-09-09 WO2016/139560 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  刘多益;胡烨
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm#2eV#1的区域。
 【主权项】  一种氧化物半导体膜,包括:In;M;Zn;以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm#2eV#1的区域,其中,M为Al、Ga、Y或Sn。
 【页数】  198
 【主分类号】  C23C14/08
 【专利分类号】  C23C14/08;G09F9/30;H01L21/363;H01L29/786
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