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半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置  
 【申请号】  CN201680012805.5  【申请日】  2016-02-23
 【公开号】  CN107408579A  【公开日】  2017-11-28
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  肥塚纯一;冈崎健一;保坂泰靖;神长正美;井口贵弘;山崎舜平
 【国际申请】  2016-02-23 PCT/IB2016/050953  【国际公布】  2016-09-09 WO2016/139551 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  贾成功
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  在包括氧化物半导体膜的晶体管中,抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中,In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:晶体管,该晶体管包括:第一栅电极;所述第一栅电极上的第一绝缘膜;所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜;与所述氧化物半导体膜电连接的源电极;与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极;所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜;所述第二绝缘膜上的第二栅电极;以及所述第二栅电极上的第三绝缘膜,其中,所述氧化物半导体膜包括所述第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜,所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn,M为Al、Ga、Y或Sn,在所述第二氧化物半导体膜的区域中,In的原子个数少于所述第一氧化物半导体膜,并且,所述第二栅电极包含所述氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。
 【页数】  190
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L51/50;H05B33/14
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