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集成电路器件及其制造方法  
 【申请号】  CN201710383517.7  【申请日】  2017-05-26
 【公开号】  CN107437543A  【公开日】  2017-12-05
 【申请人】  三星电子株式会社  【地址】  韩国京畿道
 【共同申请人】  
 【发明人】  M.坎托罗;许然喆;M.T.卢克
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市柳沈律师事务所 11105  【代理人】  翟然
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  KR
 【摘要】  本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括:包括主表面的衬底;化合物半导体纳米线,其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分;覆盖第一部分的栅电极;以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。
 【主权项】  一种集成电路器件,包括:包括主表面的衬底;化合物半导体纳米线,其在垂直于所述主表面的第一方向上从所述主表面延伸并且包括在所述第一方向上交替布置的第一部分和第二部分,其中所述第一部分和所述第二部分具有彼此相同的成分并且具有彼此不同的晶相;覆盖所述第一部分的栅电极;以及在所述第一部分与所述栅电极之间的栅电介质层。
 【页数】  49
 【主分类号】  H01L27/085
 【专利分类号】  H01L27/085;H01L29/775;H01L29/04;H01L21/8252
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