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加工半导体晶片的方法和覆盖半导体晶片的保护覆盖件  
 【申请号】  CN201710576245.2  【申请日】  2017-07-14
 【公开号】  CN107634003A  【公开日】  2018-01-26
 【申请人】  英飞凌科技股份有限公司  【地址】  德国瑙伊比贝尔格市
 【共同申请人】  
 【发明人】  弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯;罗兰德·鲁普
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司 11227  【代理人】  丁永凡;张春水
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  DE
 【摘要】  根据不同的实施方式,方法能够包括:加工半导体晶片(102,202),所述半导体晶片具有第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b),所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置;其中半导体晶片(102,202)在第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s),所述电路区域具有至少一个电子电路。根据不同的实施方式,用于加工半导体晶片(102,202)的方法能够包括:形成至少部分地包围至少一个电路区域(102s)的加固结构(106),所述加固结构加固半导体晶片(102,202),其中加固结构(106)至少在至少一个电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a);从第二主工艺侧(102b)起打薄具有加固结构(106)的半导体晶片(102,202)。
 【主权项】  一种用于加工半导体晶片(102,202)的方法,其中所述半导体晶片(102,202)具有:·第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b),所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置;·其中所述半导体晶片(102,202)在所述第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s),所述电路区域具有至少一个电子电路(104);其中所述方法包括:·形成至少部分地包围至少一个所述电路区域(102s)的加固结构(106),所述加固结构加固所述半导体晶片(102,202),其中所述加固结构(106)至少在至少一个所述电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a);·从所述第二主工艺侧(102b)起打薄具有所述加固结构(106)的所述半导体晶片(102,202)。
 【页数】  66
 【主分类号】  H01L21/30
 【专利分类号】  H01L21/30;H01L21/77;H01L27/04
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