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半导体装置及该半导体装置的制造方法  
 【申请号】  CN201710599967.X  【申请日】  2017-07-21
 【公开号】  CN107658229A  【公开日】  2018-02-02
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;中泽安孝;半田拓哉;渡边正宽
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  刘多益;胡烨
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的一个方式的目的之一是使半导体装置具有良好的电特性。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。一种包含金属氧化物的半导体装置,该半导体装置包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的金属氧化物、金属氧化物上的一对电极、以及与金属氧化物接触的第二绝缘膜,金属氧化物包括第一金属氧化物、以及与第一金属氧化物的顶面接触的第二金属氧化物,第一金属氧化物及第二金属氧化物都包含In、元素M(M是镓、铝、硅等)及Zn,第一金属氧化物具有其结晶性低于第二金属氧化物的区域,第二绝缘膜具有其厚度小于第二金属氧化物的区域。
 【主权项】  一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在第一绝缘膜上形成金属氧化物;在所述金属氧化物上形成源电极及漏电极;以及形成在所述金属氧化物、所述源电极和所述漏电极上并与所述金属氧化物、所述源电极和所述漏电极接触的第二绝缘膜,其中,所述第二绝缘膜在化学气相沉积装置的真空处理室中通过如下步骤形成:对所述真空处理室中供应源气体,将所述源气体附着于所述金属氧化物;排出所述源气体;以及对所述真空处理室中供应氮气体和氧气体中的至少一个,并在所述金属氧化物上产生等离子体。
 【页数】  70
 【主分类号】  H01L21/34
 【专利分类号】  H01L21/34;H01L29/78
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