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非易失性存储器  
 【申请号】  CN201710158459.8  【申请日】  2017-03-17
 【公开号】  CN107689235A  【公开日】  2018-02-13
 【申请人】  株式会社东芝  【地址】  日本东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  野口纮希;藤田忍
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  金光华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及非易失性存储器。实施方式涉及一种非易失性存储器。提出能够在各种系统使用的非易失性RAM。实施方式的非易失性RAM具备:导电线(LSOT),在第1方向上延伸;存储元件(MTJ1~MTJ8),具有第1端子以及第2端子,第1端子连接到导电线(LSOT);晶体管(T1~T8),具有第3端子、第4端子以及第1电极,第3端子连接到第2端子;导电线(WL1~WLi),在第1方向上延伸,连接到第1电极;以及导电线(LBL1~LBL8),在第2方向上延伸,连接到第4端子。
 【主权项】  一种非易失性存储器,具备:第1导电线,在第1方向上延伸,具有第1部分、第2部分、所述第1部分和所述第2部分之间的第3部分以及所述第2部分和所述第3部分之间的第4部分;第1存储元件,具有第1端子以及第2端子,所述第1端子连接到所述第3部分;第1晶体管,具有第3端子、第4端子以及控制所述第3端子和所述第4端子之间的第1电流路径的第1电极,所述第3端子连接到所述第2端子;第2存储元件,具有第5端子以及第6端子,所述第5端子连接到所述第4部分;第2晶体管,具有第7端子、第8端子以及控制所述第7端子和所述第8端子之间的第2电流路径的第2电极,所述第7端子连接到所述第6端子;第2导电线,在所述第1方向上延伸,连接到所述第1电极和所述第2电极;第3导电线,在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸,连接到所述第4端子;以及第4导电线,在所述第2方向上延伸,连接到所述第8端子。
 【页数】  86
 【主分类号】  G11C7/06
 【专利分类号】  G11C7/06;G11C7/08;G11C7/18
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