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半导体装置、驱动电路及显示装置  
 【申请号】  CN201710930241.X  【申请日】  2014-02-21
 【公开号】  CN107731856A  【公开日】  2018-02-23
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;三宅博之;丰高耕平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  叶培勇;杨美灵
 【分案原申请号】  201480010926.7 2014.02.21
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的一个方式可以提供一种具有高开口率且包括高电荷容量的电容器的半导体装置。本发明的一个方式可以提供一种窄边框的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:衬底上的晶体管;其上设置有晶体管的栅电极的面上的第一导电膜;其上设置有晶体管的一对电极的面上的第二导电膜;以及与第一导电膜及第二导电膜电连接的第一透光导电膜。第二导电膜隔着第二导电膜与第一导电膜之间的晶体管的栅极绝缘膜与第一导电膜重叠。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:驱动电路,包括:衬底上的栅电极;所述衬底上的第一导电膜;所述栅电极和所述第一导电膜上的第一绝缘膜;所述栅电极上的隔着所述第一绝缘膜的一对电极;所述第一绝缘膜上的第二导电膜;以及所述第一导电膜和所述第二导电膜上的透光导电膜,其中,所述透光导电膜电连接到所述第一导电膜和所述第二导电膜,并且其中,所述第二导电膜与所述第一导电膜重叠。
 【页数】  107
 【主分类号】  H01L27/12
 【专利分类号】  H01L27/12;G11C19/28;G09G3/36
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