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包含三维互连的纳米孔、介孔和大孔的多孔氧化物半导体,用于制备所述多孔氧化物半导体的方法以及包含所述多孔氧化物半导体作为气体感测材料的气体传感器  
 【申请号】  CN201680043676.6  【申请日】  2016-06-30
 【公开号】  CN107850561A  【公开日】  2018-03-27
 【申请人】  高丽大学校产学协力团  【地址】  韩国首尔
 【共同申请人】  
 【发明人】  李锺欣;姜允赞;尹智煜;崔胜皓
 【国际申请】  2016-06-30 PCT/KR2016/006997  【国际公布】  2017-02-02 WO2017/018674 KO
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司 11227  【代理人】  蔡胜有;冷永华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  KR
 【摘要】  本发明涉及包含彼此三维连接的纳米孔、介孔和大孔的多孔氧化物半导体,该多孔氧化物半导体的制造方法,以及包含该多孔氧化物半导体作为气体感测物质的气体传感器,更具体地涉及多孔氧化物半导体,该多孔氧化物半导体的制造方法,以及包含该多孔氧化物半导体作为气体感测物质的气体传感器,该多孔氧化物半导体包括彼此三维连接的直径为1nm至小于4nm的纳米孔,直径为4nm至50nm的介孔,直径为100nm至小于1μm的大孔。根据本发明,提供了通过控制纳米孔、介孔和大孔表现出对多种待检测气体表现出超高灵敏度和超高速响应特征的氧化物半导体型气体传感器。
 【主权项】  一种多孔氧化物半导体,所述多孔氧化物半导体包含三维互连的纳米孔、介孔和大孔,其中所述纳米孔的直径为1nm至小于4nm,所述介孔的直径为4nm至50nm,所述大孔的直径为100nm至小于1μm。
 【页数】  27
 【主分类号】  G01N27/40
 【专利分类号】  G01N27/40;C01G1/02;G01N27/30
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