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电路单元的特征化数据获取方法和系统  
 【申请号】  CN201610932125.7  【申请日】  2016-10-31
 【公开号】  CN108020993A  【公开日】  2018-05-11
 【申请人】  中国科学院微电子研究所  【地址】  100029 北京市朝阳区北土城西路3号
 【共同申请人】  
 【发明人】  吴玉平;陈岚;张学连
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司 11227  【代理人】  王宝筠
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  11
 【摘要】  本发明公开了一种电路单元的特征化数据获取方法和系统,该方法应用于多重光刻成型工艺下电路单元仿真过程,包括:创建电路单元的物理版图各关键物理层图形分解和着色方案;将各关键物理层图形对应的分解和着色方案进行划分得到多个第一子掩膜版图形,对多个第一子掩膜版图形进行邻近光学校正,得到多个第二子掩膜版图形和各关键物理层图形对应的新的分解和着色方案;根据各个关键物理层图形对应的新的分解和着色方案及各关键物理层对应的第二子掩膜版图形,对电路单元的物理版图进行光刻仿真及特征化数据的提取,得到特征化数据。本发明根据电路单元物理版图的分解和着色方案进行光刻仿真和特征化数据的提取,提高了获取到的特征化数据的准确性。
 【主权项】  一种电路单元的特征化数据获取方法,其特征在于,应用于多重光刻成型工艺下电路单元的仿真过程,包括:A、根据电路单元的物理版图,创建该物理版图图形的第一关键物理层图形的分解和着色方案,所述电路单元的物理版图图形中包括M个关键物理层图形,所述关键物理层为需要采用多重光刻成型工艺制作的物理层,M为大于或等于1的自然数;B、将所述第一关键物理层图形对应的分解和着色方案进行划分,得到x个第一子掩膜版图形,对所述x个第一子掩膜版图形进行邻近光学校正,得到x个第二子掩膜版图形和所述第一关键物理层图形对应的新的分解和着色方案,x为大于1的自然数;C、针对各个关键物理层图形,重复以上两个步骤,直至得到第M个关键物理层图形对应的新的分解和着色方案及其第二子掩膜版图形;D、根据各个关键物理层图形对应的新的分解和着色方案、以及各关键物理层对应的第二子掩膜版图形,对所述电路单元的物理版图进行光刻仿真及特征化数据的提取,得到所述电路单元的特征化数据。
 【页数】  27
 【主分类号】  G03F7/20
 【专利分类号】  G03F7/20;G03F1/36
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