用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备  
 【申请号】  CN201680066525.2  【申请日】  2016-11-09
 【公开号】  CN108292683A  【公开日】  2018-07-17
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  保坂泰靖;岛行德;中田昌孝;神长正美
 【国际申请】  2016-11-09 PCT/IB2016/056731  【国际公布】  2017-05-26 WO2017/085591 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  王海宁
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  在包括氧化物半导体的晶体管中,在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。
 【主权项】  1.一种半导体装置,包括:晶体管,其中,所述晶体管包括:第一导电膜;所述第一导电膜上的第一绝缘膜;包括隔着所述第一绝缘膜与所述第一导电膜重叠的区域的第一氧化物半导体膜;所述第一氧化物半导体膜上的第二绝缘膜;包括隔着所述第二绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜重叠的区域的第二氧化物半导体膜;所述第二氧化物半导体膜上的第二导电膜;以及所述第一氧化物半导体膜上、所述第二氧化物半导体膜上及所述第二导电膜上的第三绝缘膜,所述第一氧化物半导体膜包括与所述第二绝缘膜接触的沟道区域、与所述第三绝缘膜接触的源区域以及与所述第三绝缘膜接触的漏区域,所述第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比所述沟道区域高的区域,并且,所述第二导电膜包括与所述第一导电膜接触的区域。
 【页数】  160
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站