用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
一种用于晶体管的侧墙刻蚀方法及晶体管  
 【申请号】  CN201810105710.9  【申请日】  2018-02-02
 【公开号】  CN108335983A  【公开日】  2018-07-27
 【申请人】  武汉新芯集成电路制造有限公司  【地址】  430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路18号
 【共同申请人】  
 【发明人】  李春杰
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京路浩知识产权代理有限公司 11002  【代理人】  王莹;吴欢燕
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  42
 【摘要】  本发明提供一种用于晶体管的侧墙刻蚀方法及晶体管。所述方法包括:在晶体管的源端、漏端和栅极沉积侧墙,所述侧墙将所述晶体管的源端、漏端和栅极全部覆盖;进行第一次刻蚀,去除所述栅极上表面沉积的侧墙以及所述源端和漏端的部分侧墙,使得源端保留第一宽度的侧墙、漏端保留第二宽度的侧墙;基于侧墙刻蚀后的所述源端和漏端进行注入和退火;对注入和退火后的所述源端和漏端进行第二次刻蚀,使得源端保留第三宽度的侧墙、漏端保留第四宽度的侧墙,所述第三宽度小于所述第一宽度,所述第四宽度小于所述第二宽度。本发明在不改变现有implant注入条件和器件性能的情况下,减小了器件尺寸,提高了晶体管的击穿电压,解决了现有技术问题。
 【主权项】  1.一种用于晶体管的侧墙刻蚀方法,其特征在于,包括:在晶体管的源端、漏端和栅极沉积侧墙,所述侧墙将所述晶体管的源端、漏端和栅极全部覆盖;进行第一次刻蚀,去除所述栅极上表面沉积的侧墙以及所述源端和漏端的部分侧墙,使得栅极两侧的源端保留第一宽度的侧墙、漏端保留第二宽度的侧墙;基于侧墙刻蚀后的所述源端和漏端进行离子注入和退火;对离子注入和退火后的所述源端和漏端进行第二次刻蚀,使得源端保留第三宽度的侧墙、漏端保留第四宽度的侧墙。
 【页数】  9
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站