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磁共振成像设备和用于检测磁共振成像设备的差错的方法  
 【申请号】  CN201780007219.6  【申请日】  2017-01-16
 【公开号】  CN108471984A  【公开日】  2018-08-31
 【申请人】  三星电子株式会社  【地址】  韩国京畿道水原市
 【共同申请人】  
 【发明人】  金珍燮;拉格哈维德拉.普蒂
 【国际申请】  2017-01-16 PCT/KR2017/000518  【国际公布】  2017-07-27 WO2017/126852 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京铭硕知识产权代理有限公司 11286  【代理人】  曾世骁;张云珠
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  KR
 【摘要】  提供了一种磁共振成像(MRI)设备和检测MRI设备的差错的方法。MRI设备包括:射频(RF)线圈,被配置为发送和接收RF信号;偏置电路,被配置为对RF线圈进行调谐和解调谐;监测电路,被配置为基于监测模式监测偏置电路的偏置电压和偏置电流之中的参数。MRI设备还包括:控制器,被配置为基于确定标准和被监测的参数来确定偏置电路是否处于异常状态,并且所述监测模式和所述确定标准中的一个或两者基于偏置电路的状态而变化。
 【主权项】  1.一种磁共振成像设备包括:射频(RF)线圈,被配置为发送和接收RF信号;偏置电路,被配置为对RF线圈进行调谐和解调谐;监测电路,被配置为基于监测模式监测偏置电路的偏置电压和偏置电流之中的参数;和控制器,被配置为基于确定标准和被监测的参数来确定偏置电路是否处于异常状态,其中,所述监测模式和所述确定标准中的一个或两者基于偏置电路的状态而变化。
 【页数】  31
 【主分类号】  A61B5/055
 【专利分类号】  A61B5/055;G01R33/34;G01R31/00;G01R19/165;A61B5/00
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