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金属氧化物膜以及半导体装置  
 【申请号】  CN201680077344.X  【申请日】  2016-12-21
 【公开号】  CN108473334A  【公开日】  2018-08-31
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  保坂泰靖;生内俊光;岛行德;神长正美;黑崎大辅;羽持贵士;肥塚纯一;冈崎健一;山崎舜平
 【国际申请】  2016-12-21 PCT/IB2016/057846  【国际公布】  2017-07-06 WO2017/115222 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  李啸;杨美灵
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌,且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外,在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20%以上且60%以下。
 【主权项】  1.一种金属氧化物膜,包含:铟;M,M是Al、Ga、Y或Sn;以及锌,其中,通过X射线衍射在垂直于所述金属氧化物膜的表面的方向上观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值,在垂直于所述金属氧化物膜的所述表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部,并且,所述多个结晶部以外的区域的比率为20%以上且60%以下。
 【页数】  170
 【主分类号】  C01G15/00
 【专利分类号】  C01G15/00;C23C14/08;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786
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