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半导体装置、包括该半导体装置的显示装置  
 【申请号】  CN201680076957.1  【申请日】  2016-12-20
 【公开号】  CN108475699A  【公开日】  2018-08-31
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  三宅博之;冈崎健一;保坂泰靖;岛行德
 【国际申请】  2016-12-20 PCT/IB2016/057801  【国际公布】  2017-07-06 WO2017/115214 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  李啸;杨美灵
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置,包括:第一晶体管;以及第二晶体管。第一晶体管包括:第一栅电极;第一栅电极上的第一绝缘膜;第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜;第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极;第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜;以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括:第一漏电极;第一漏电极上的第二绝缘膜;第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜;第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极;第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜;以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
 【主权项】  1.一种半导体装置,包括:第一晶体管;以及第二晶体管,其中,所述第一晶体管包括:第一栅电极;所述第一栅电极上的第一绝缘膜;所述第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜;所述第一氧化物半导体膜上的第一源电极;所述第一氧化物半导体膜上的第一漏电极;所述第一氧化物半导体膜、所述第一源电极及所述第一漏电极上的第二绝缘膜;以及所述第二绝缘膜上的第二栅电极,并且,所述第二晶体管包括:所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个;所述第一源电极和所述第一漏电极中的所述一个上的所述第二绝缘膜;所述第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜;所述第二氧化物半导体膜上的第二源电极;所述第二氧化物半导体膜上的第二漏电极;所述第二氧化物半导体膜、所述第二源电极及所述第二漏电极上的第三绝缘膜;以及所述第三绝缘膜上的第三栅电极。
 【页数】  167
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L21/336;H01L51/50
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