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半导体装置及半导体装置的制造方法  
 【申请号】  CN201810172995.8  【申请日】  2018-03-02
 【公开号】  CN108538916A  【公开日】  2018-09-14
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  肥冢纯一;冈崎健一;岛行德;中泽安孝;保坂泰靖;山崎舜平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  刘倜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置,包括:栅电极;栅电极上的第一绝缘层;第一绝缘层上的金属氧化物层;金属氧化物层上的一对电极;以及一对电极上的第二绝缘层,其中,第一绝缘层包括第一区域及第二区域,第一区域与金属氧化物层接触,且包括其氧含量比第二区域多的区域,第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域,金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度,并且,氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
 【主权项】  1.一种半导体装置,包括:栅电极;所述栅电极上的第一绝缘层;所述第一绝缘层上的金属氧化物层;所述金属氧化物层上的一对电极;以及所述一对电极上的第二绝缘层,其中,所述金属氧化物层包含In、元素M及锌,其中所述元素M为镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的至少一个,所述第一绝缘层包括第一区域及第二区域,所述第一区域包括与所述金属氧化物层接触的区域并包含比所述第二区域多的氧,所述第二区域包括包含比所述第一区域多的氮的区域,所述金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度,并且,所述浓度梯度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
 【页数】  103
 【主分类号】  H01L29/78
 【专利分类号】  H01L29/78;H01L29/51;H01L29/24;H01L21/34
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