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芯片的形成方法  
 【申请号】  CN201710173741.3  【申请日】  2017-03-22
 【公开号】  CN108630599A  【公开日】  2018-10-09
 【申请人】  东莞新科技术研究开发有限公司  【地址】  523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
 【共同申请人】  
 【发明人】  马岳
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  广州三环专利商标代理有限公司 44202  【代理人】  郝传鑫
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  44
 【摘要】  本发明的芯片的形成方法,包括:提供一晶圆,所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面;由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道,所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度;以及采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等,从而分离形成多个芯片。本发明其可避免芯片在形成过程中造成晶片碎裂,从而保证芯片的良品率。
 【主权项】  1.一种芯片的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一晶圆,所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面;由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道,所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度;以及采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等,从而分离形成多个芯片。
 【页数】  5
 【主分类号】  H01L21/78
 【专利分类号】  H01L21/78
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