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半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备  
 【申请号】  CN201780012189.8  【申请日】  2017-02-09
 【公开号】  CN108738364A  【公开日】  2018-11-02
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖
 【国际申请】  2017-02-09 PCT/IB2017/050692  【国际公布】  2017-08-24 WO2017/141140 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  李啸;张金金
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括:第一绝缘膜;第一绝缘膜上的氧化物半导体膜;氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜;以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时,可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
 【主权项】  1.一种包括晶体管的半导体装置,该晶体管包括:衬底上的氧化物半导体膜;所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘层;以及所述栅极绝缘层上的栅电极,其中,所述栅极绝缘层包括氧氮化硅膜,并且,当利用热脱附谱分析法对所述栅极绝缘层进行分析时,在150℃以上且350℃以下的衬底温度处观察到质荷比M/z=32的释放气体量的最大峰值。
 【页数】  130
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14
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