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半导体装置及其形成方法  
 【申请号】  CN201710292879.5  【申请日】  2017-04-28
 【公开号】  CN108807533A  【公开日】  2018-11-13
 【申请人】  世界先进积体电路股份有限公司  【地址】  中国台湾新竹科学工业园区
 【共同申请人】  
 【发明人】  王琮玄;陈侃升;吴信霖;周永隆;魏云洲;李家豪;廖志成
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京三友知识产权代理有限公司 11127  【代理人】  汤在彦;孙乳笋
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  71
 【摘要】  本发明公开了一种半导体装置及其形成方法,装置包括设置于半导体基板上的栅极结构、设置于上述栅极结构侧壁上的侧壁间隔物、形成于上述栅极结构两侧的半导体基板中的轻掺杂源极/漏极区、形成于上述侧壁间隔物两侧的半导体基板中的源极/漏极区、形成于上述栅极结构下的半导体基板中且邻近于上述轻掺杂源极/漏极区的晕状植入(halo#implant)区、形成于上述栅极结构下的半导体基板中且位于上述轻掺杂源极/漏极区及晕状植入区之间的反向掺杂区(counter#doping#region)。上述反向掺杂区的掺杂浓度低于晕状植入区的掺杂浓度。
 【主权项】  1.一种半导体装置,其特征在于,所述的半导体装置包括:一半导体基板;一栅极结构,设置于所述半导体基板之上;一侧壁间隔物,设置于所述栅极结构的侧壁上;一轻掺杂源极/漏极区,形成于所述栅极结构两侧的半导体基板中;一源极/漏极区,形成于所述侧壁间隔物两侧的半导体基板中;一晕状植入区,形成于所述栅极结构下的半导体基板中且邻近于所述轻掺杂源极/漏极区;以及一反向掺杂区,形成于所述栅极结构下的半导体基板中且位于所述轻掺杂源极/漏极区及所述晕状植入区之间;其中所述反向掺杂区的掺杂浓度低于所述晕状植入区的掺杂浓度。
 【页数】  11
 【主分类号】  H01L29/78
 【专利分类号】  H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
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