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一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件  
 【申请号】  CN201810380279.9  【申请日】  2018-04-25
 【公开号】  CN108831882A  【公开日】  2018-11-16
 【申请人】  深圳市虹源微电子有限公司  【地址】  518000 广东省深圳市龙华区龙华街道东环一路天汇大厦B栋439
 【共同申请人】  
 【发明人】  周伟刚
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360  【代理人】  陈琳
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  44
 【摘要】  本发明具体涉及一种功率型的金属#氧化物半导体场效应晶体管组件,包括第一金属#氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块,所述第一金属#氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属#氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚,所述第一电阻的一端作为金属#氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚,并连接外部的驱动信号源、第一金属#氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端,所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属#氧化物半导体场效应晶体管的源极。将外部电路的体积缩减,在组装成电源供应器时,符合轻薄短小的趋势;以及,可以缩减外部驱动电路的成本。
 【主权项】  1.一种功率型的金属#氧化物半导体场效应晶体管组件,其特征在于:包括第一金属#氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块,所述第一金属#氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属#氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚,所述第一电阻的一端作为金属#氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚,并连接外部的驱动信号源、第一金属#氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端,所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属#氧化物半导体场效应晶体管的源极。
 【页数】  12
 【主分类号】  H01L27/06
 【专利分类号】  H01L27/06
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