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半导体晶片的脱胶方法  
 【申请号】  CN201711445155.6  【申请日】  2017-12-27
 【公开号】  CN109979799A  【公开日】  2019-07-05
 【申请人】  东莞新科技术研究开发有限公司  【地址】  523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
 【共同申请人】  
 【发明人】  马岳
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  广州三环专利商标代理有限公司  【代理人】  郝传鑫
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  44
 【摘要】  本发明的半导体晶片的脱胶方法,包括:第一次超声波清洗:将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗;浸泡脱胶:将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡:辛基酚聚氧乙烯醚8-12%、水杨酸2-5%、乙酰胺2-5%、2-羟基膦酰基乙酸4-8%、硅酸钠5-10%、葡萄糖酸钠4-6%、乙醇6-10%、异丙醇2-6%、三氯乙烯3-9%、余量为去离子水;以及第二次超声波清洗:将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。该方法能高效去除半导体晶片上的胶体,保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等,提高半导体晶片的成品率。
 【主权项】  1.一种半导体晶片的脱胶方法,包括以下步骤:第一次超声波清洗:将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗;浸泡脱胶:将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡:辛基酚聚氧乙烯醚8-12%、水杨酸2-5%、乙酰胺2-5%、2-羟基膦酰基乙酸4-8%、硅酸钠5-10%、葡萄糖酸钠4-6%、乙醇6-10%、异丙醇2-6%、三氯乙烯3-9%、余量为去离子水;以及第二次超声波清洗:将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。
 【页数】  5
 【主分类号】  H01L21/02
 【专利分类号】  H01L21/02;C11D1/72;C11D3/08;C11D3/20;C11D3/24;C11D3/32;C11D3/36;C11D3/60
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