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氧化物烧结材料和制造所述氧化物烧结材料的方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法  
 【申请号】  CN201880032388.X  【申请日】  2018-05-01
 【公开号】  CN110621637A  【公开日】  2019-12-27
 【申请人】  住友电气工业株式会社  【地址】  日本大阪府大阪市
 【共同申请人】  
 【发明人】  宫永美纪;绵谷研一;粟田英章;富永爱子;德田一弥
 【国际申请】  2018-05-01 PCT/JP2018/017453  【国际公布】  2018-11-22 WO2018/211977 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中原信达知识产权代理有限责任公司  【代理人】  王海川;牛嵩林
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn,包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数),并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的,并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
 【主权项】  1.一种含有铟、钨和锌的氧化物烧结材料,其中所述氧化物烧结材料包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数),并且在所述氧化物烧结材料中与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。
 【页数】  44
 【主分类号】  C04B35/01
 【专利分类号】  C04B35/01;C23C14/34;H01L21/363;H01L29/786
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