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一种半导体材料的表面钝化方法  
 【申请号】  CN201911017817.9  【申请日】  2019-10-24
 【公开号】  CN110739205A  【公开日】  2020-01-31
 【申请人】  苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司  【地址】  221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号
 【共同申请人】  
 【发明人】  闫一方
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)  【代理人】  王志敏
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  32
 【摘要】  本发明提供一种半导体材料的表面钝化方法,涉及材料科学技术领域。该半导体材料的表面钝化方法,包括以下步骤:S1.准备好HCl溶液,将半导体材料置于HCl溶液中浸泡15-30min,然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗,清洗干净之后,将半导体材料送入到真空环境中进行干燥处理;S2.将半导体材料置于高温炉中,调节高温炉内的温度在1000-1200℃范围内,在半导体材料的表面形成热氧化膜,然后利用氮气对半导体材料进行冷却。通过将形成的热氧化膜去除,然后再低温形成二氧化硅钝化层,使得二氧化硅钝化层可以更好的附着在半导体材料的表面,同时通过HCl溶液与HF溶液的处理,进一步去除了Na离子对半导体材料的影响,使得半导体材料的钝化效果大大提升。
 【主权项】  1.一种半导体材料的表面钝化方法,其特征在于:包括以下步骤:S1.准备好HCl溶液,将半导体材料置于HCl溶液中浸泡15-30min,然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗,清洗干净之后,将半导体材料送入到真空环境中进行干燥处理;S2.将半导体材料置于高温炉中,调节高温炉内的温度在1000-1200℃范围内,在半导体材料的表面形成热氧化膜,然后利用氮气对半导体材料进行冷却;S3.准备好HF溶液,将形成有热氧化膜的半导体材料用HF溶液浸泡,浸泡时间为10-20min,去除半导体材料表面的热氧化膜,然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗,清洗干净之后,利用氮气对半导体材料进行干燥处理;S4.将半导体材料置于真空装置中,然后在半导体材料表面喷洒正硅酸乙酯,然后调节真空装置中的温度在600-800℃范围内,在半导体材料的表层形成第一层二氧化硅钝化层;S5.准备氮化硅、碳化硅与硫化锌,将三者充分混合,然后对其进行烧结制成靶材,再利用溅射法对半导体材料进行处理,在半导体材料上形成第二层钝化层;S6.最后在第二层钝化层上制备一层低温二氧化硅介质膜,得到第三层钝化层,在制备第三层钝化层的过程中,通入少量的HCl气体。
 【页数】  6
 【主分类号】  H01L21/02
 【专利分类号】  H01L21/02
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