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其自动预充电操作易于控制的同步半导体存储器  
 【申请号】  CN96119204.6  【申请日】  1996-11-20
 【公开号】  CN1156886  【公开日】  1997-08-13
 【申请人】  三菱电机株式会社  【地址】  日本东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  泽田诚二
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司  【代理人】  吴增勇;王忠忠
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  当读操作激活信号(READ)和写操作激活信号(WRITE)两者都被置为不活动状态时,内部读/写终止检测电路(42)产生单稳脉冲信号。内部操作激活信号产生电路(40)根据自动预充电命令、通过触发器(40a)保持自动预充电允许信号(APCE),以便根据自动预充电允许信号和单稳脉冲信号而产生预充电操作触发信号。仅当内部写/读操作结束时才使自动预充电命令成为有效的、以便进行内部预充电操作。提供一种易于控制自动预充电命令并且减小版图面积的同步半导体存储器。
 【主权项】  一种与周期地外加的时钟信号同步地工作的同步半导体存储器 ,其特征在于包括:内部激活信号产生装置(40,40d) ,它响应外加的存储单元选择操作起始指定信号而把内部操作 激活信号变成激活的,访问操作激活信号产生装置(26,2 8),它响应外加的访问指定信号而把内部访问操作激活信号 变成激活的,预充电激活信号产生装置(40a),它响应与 所述访问指定信号同时施加的预充电指定信号而把内部预充电 激活信号变成激活的,以及内部操作禁止装置(40b,40 c,42),它响应对所述访问操作激活信号和所述激活的内 部预充电激活信号而把所述内部操作激活信号变成激活的。
 【页数】  75
 【主分类号】  G11C11/401
 【专利分类号】  G11C11/401
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