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半导体集成电路器件的制造方法  
 【申请号】  CN98803082.9  【申请日】  1998-03-04
 【公开号】  CN1249850  【公开日】  2000-04-05
 【申请人】  株式会社日立制作所  【地址】  日本东京
 【共同申请人】  
 【发明人】  田边义和;酒井哲;夏秋信义
 【国际申请】  PCT.JP98/00892 1998-03-04  【国际公布】  WO98.39802 日 1998-09-11
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所  【代理人】  王永刚
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的半导体集成电路器件的制造方法包括将含有由氢气和氧气通过催化作用产生的低浓度水的氧化反应物送到半导体晶片的主表面或附近,在足以确保形成氧化膜的精度和氧化膜厚度均匀性的氧化膜生长速率下,在半导体晶片的主表面上形成薄氧化膜作为MOS晶体管的栅绝缘膜,薄氧化膜的厚度为5nm以下。
 【主权项】  权利要求书 1.一种半导体集成电路器件的制造方法,包括以下步骤: (a)使用催化剂在500℃以下的温度由氧气和氢气制备湿气; 以及 (b)通过不是主要包括氢气的氧化性气氛中的热氧化在硅的表 面上形成氧化硅膜,作为场效应晶体管的栅绝缘膜,在氧化性气氛 中制备的湿气的分压与总气压的比值在0.5到5%的范围内,晶片上 的硅表面加热到800℃以上。
 【页数】  77
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336;H01L29/78;H01L21/316;H01L21/8247
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