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高介电常数的金属氧化物薄膜  
 【申请号】  CN00809440.3  【申请日】  2000-06-09
 【公开号】  CN1358326  【公开日】  2002-07-10
 【申请人】  塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社  【地址】  美国科罗拉多州
 【共同申请人】  
 【发明人】  林信一郎;维克拉姆·乔希;纳拉亚恩·索拉亚潘;约瑟夫·D·库奇阿罗;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约
 【国际申请】  PCT/US00/15956 2000-06-09  【国际公布】  WO00/77832 英 2000-12-21
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  永新专利商标代理有限公司  【代理人】  于辉
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  US
 【摘要】  一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜:钨-青铜-型氧化物、烧绿石-型氧化物、以及Bi2O3与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿-型氧化物和烧绿石-型氧化物。一种实施方式含有化学计量通式AB2O6、A2B2O7和A2Bi2B2O10所代表的金属氧化物,其中A代表选自以下金属的A-位原子:Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La;并且B代表选自以下金属的B-位原子:Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。优选这些金属氧化物是(BaxSr1-x)(TayNb1-y)2O6,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0;(BaxSr1-x)2(TayNb1-y)2O7,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0和(BaxSr1-x)2Bi2(TayNb1-y)2O10,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。本发明的薄膜的相对介电常数≥40,优选为约100。本发明的金属氧化物的Vcc值接近0。Tcc值<1000ppm,优选<100ppm。
 【主权项】  权利要求书 1.一种含有非铁电的高介电常数绝缘体的集成电路,所述绝缘 体包括选自以下的金属氧化物薄膜:钨-青铜-型氧化物、烧绿石-型 氧化物、以及中间层氧化物与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿-型 氧化物和烧绿石-型氧化物。
 【页数】  63
 【主分类号】  H01L21/316
 【专利分类号】  H01L21/316;H01L29/78;H01L27/115
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