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半导体存储装置  
 【申请号】  CN02119358.4  【申请日】  2002-05-15
 【公开号】  CN1392565  【公开日】  2003-01-22
 【申请人】  三菱电机株式会社  【地址】  日本东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  松本淳子;山内忠昭;冈本武郎
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司  【代理人】  刘宗杰;王忠忠
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  在模式寄存器(2)的寄存器电路(24)中存储特定自刷新模式时执行的刷新状态的数据。根据该寄存器电路(24)中存储的数据,决定刷新周期/区域,刷新控制电路(22)产生刷新需要的控制信号和刷新地址。
 【主权项】  权利要求书 1.一种半导体存储装置,具有: 含多个存储器单元的存储器阵列; 刷新上述存储器阵列的存储器单元的存储数据的刷新电路;以 及 存储设定上述存储器阵列的刷新周期和区域的至少之一的数据 的寄存器电路,上述寄存器电路响应来自外部的寄存器设定指示信 号存储来自外部的刷新指定数据, 刷新执行控制电路,根据上述寄存器电路中存储的数据,在刷 新执行时,生成指定上述存储器阵列的刷新的存储器单元的刷新地 址,提供给上述刷新电路并激活上述刷新电路。
 【页数】  88
 【主分类号】  G11C11/401
 【专利分类号】  G11C11/401;G11C11/406
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