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氧化物超导导体及其制造方法  
 【申请号】  CN02127243.3  【申请日】  2002-06-20
 【公开号】  CN1395261  【公开日】  2003-02-05
 【申请人】  株式会社藤仓;中部电力株式会社  【地址】  日本东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  尾锅和宪;齐藤隆;鹿岛直二
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司  【代理人】  温大鹏;郑建晖
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的目的在于,提供具有优异的强度和超导特性的氧化物超导导体及其制造方法。本发明为了达到上述目的,提供一种氧化物超导导体,其特征在于:是在具备在含有Ag的基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导体形成用基材上,通过使氧化物超导体的原料气体发生化学反应在所述基材上成膜的方法得到的氧化物超导体层的氧化物超导导体,在所述基材的氧化物超导体层测的表层部形成在Ag中扩散了Cu的扩散层,在该扩散层上形成所述的氧化物超导体层;以及提供一种氧化物超导导体,其特征在于:是在具备在Ag基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导体形成用基材的Ag层上,通过CVD法顺次生成多层含有Cu的氧化物超导体的氧化物超导导体,在所述多层的氧化物超导体层中,基材之上的所述氧化物超导体层的Cu含量比其他所述氧化物超导体层的Cu含量浓度更高。
 【主权项】  权利要求书 1.一种氧化物超导导体,其特征在于:是通过在含有Ag的基材的至少一 面侧使氧化物超导体的原料气体发生化学反应,在所述基材上成膜的方法得到 的具有氧化物超导体层的氧化物超导导体; 在所述基材的氧化物超导体层侧的表层部上形成在Ag中扩散了Cu的扩散 层,在该扩散层上形成了所述的氧化物超导体层。
 【页数】  54
 【主分类号】  H01B12/00
 【专利分类号】  H01B12/00;H01B13/00
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