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半导体存储装置及其更新方法  
 【申请号】  CN01815029.2  【申请日】  2001-08-30
 【公开号】  CN1452773  【公开日】  2003-10-29
 【申请人】  恩益禧电子股份有限公司  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  高桥弘行;中川敦;加藤羲之;稻叶秀雄
 【国际申请】  PCT/JP01/07487 2001-08-30  【国际公布】  WO02/19340 日 2002-03-07
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中原信达知识产权代理有限责任公司  【代理人】  穆德骏;关兆辉
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  提供一种比现有产品更能减小更新时的消耗电力的半导体存储装置。单元阵列S0、S1分别被划分成4个块B00~B03、B10~B13。进行普通的读出/写入时,通过用指定字线的地址数据选择单元阵列中的一方,同时选择已被选择的单元阵列的1个块,并进一步选择该块内的1个字线。另一方面,进行更新时,选择一方单元阵列,已被选择的单元阵列的4个块同时被更新。即,从4个块分别选择1个字线,更新已被选择的字线。这样,和同时更新多个单元阵列时比,能够降低消耗电力。
 【主权项】  权利要求书 1.一种半导体存储装置,设置有多个单元阵列,该单元阵列具 有需要更新动作的多个存储器单元,其特征在于,具有: 多个第1选择电路,设置在所述多个单元阵列的每一个上;和 第2选择电路,根据内部地址信号向所述多个第1选择电路输出 共用的选择信号; 在进行更新动作时,所述第2选择电路把所述多个单元阵列内的 至少1个单元阵列设为非选择,把剩余的单元阵列设为选择,仅仅有 选择性地激活所述多个第1选择电路中上述被选择的单元阵列的第1 选择电路。
 【页数】  57
 【主分类号】  G11C11/406
 【专利分类号】  G11C11/406
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