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具有体偏置电路的半导体集成电路器件  
 【申请号】  CN03149583.4  【申请日】  2003-07-17
 【公开号】  CN1476092  【公开日】  2004-02-18
 【申请人】  株式会社半导体理工学研究中心  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  石桥孝一郎;山下高广
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市中咨律师事务所  【代理人】  于静;李峥
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  一种半导体集成电路器件,具有MISFET(1;2)和体偏置电路(110,111至113∶3;4;151,161)。MISFET(1;2)具有第一导电类型(p+;n+)的源极(S)和漏极(D)以及栅极(G),MISFET(1;2)形成在第二导电类型(n;p)的阱中(10;20)。体偏置电分路(110,111至113∶3;4;151,161)通过使规定的电流(Ibp;Ibn)以正向流入由阱(10;20)和MISFET的源极(S)形成的二极管(11;21)中,在阱(10;20)中产生电压(Vbp;Vbn)。
 【主权项】  1.一种半导体集成电路器件,包括: MISFET,具有第一导电类型(p+;n+)的源极(S)和漏极(D)以 及栅极(G),形成在第二导电类型(n;p)的阱(10;20)中; 体偏置电路(110,111至113:3;4;151,161),通过使规定的电流 (Ibp;Ibn)以正向流入由所述的阱(10;20)和所述的MISFET(1;2) 的所述源极(S)形成的二极管(11;21),在所述的阱(10;20)中产生 电压(Vbp;Vbn)。
 【页数】  46
 【主分类号】  H01L27/04
 【专利分类号】  H01L27/04;H01L21/822;H03K19/094
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