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确定非对称形状的电路结构的方法  
 【申请号】  CN01823090.3  【申请日】  2001-11-13
 【公开号】  CN1500200  【公开日】  2004-05-26
 【申请人】  先进微装置公司  【地址】  美国加利福尼亚州
 【共同申请人】  
 【发明人】  B·辛格;M·K·坦普尔顿;;B·兰加拉杰;R·苏布拉马尼杨
 【国际申请】  PCT/US2001/043805 2001-11-13  【国际公布】  WO02/077570 英 2002-10-03
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京纪凯知识产权代理有限公司  【代理人】  戈泊;程伟
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  US
 【摘要】  本发明关于用于在半导体制造期间探测在晶片上所形成的电路结构(82)非对称形状的方法(58)。该方法(58)包含有引导光束或辐射至电路结构(66)且探测与其相关的反射光束(68)。使与反射光束相关的数据和与已知电路结构形状(19)相关的数据相关连以便确定与有关的电路结构相关的形状特性(192)。利用此形状特性,可决定电路结构的非对称性(192),然后利用此非对称性产生反馈或前馈处理控制数据(200)以便在其后的工艺中补偿或校正此非对称性。
 【主权项】  1.一种电路结构形状(87、94)之非对称性的探测方法(58),包 含有: 引导(66)通常是在电路结构(82)的第一侧边(87)的照射的入 射光束(86); 探测(68)与电路结构(82)的第一侧边(87)相关的第一反射光 束(90); 引导(66)通常是在电路结构(82)的第二侧边(94)的照射的入 射光束(93); 探测(72)与电路结构(82)的第二侧边(94)相关的第二反射光 束(100); 利用所探测的第一反射光束(90)和第二反射光束(100)决定电 路结构(82)的非对称性(74)。
 【页数】  28
 【主分类号】  G01B11/30
 【专利分类号】  G01B11/30;G01B11/24;G01B11/26;H01L21/66;G01N21/21;G01N21/47;G01N21/95
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