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半导体差分电路、使用该电路的装置及该电路的配置方法  
 【申请号】  CN200310116158.7  【申请日】  2003-11-17
 【公开号】  CN1501579  【公开日】  2004-06-02
 【申请人】  松下电器产业株式会社  【地址】  日本大阪府
 【共同申请人】  
 【发明人】  中谷俊文;足立寿史;平冈幸生
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司  【代理人】  王玮
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  提出了一种半导体差分电路,所述的半导体差分电路包括:半导体衬底;在半导体衬底上的第一半导体器件,所述的第一半导体器件具有:栅电极G1,用于使差分信号的其中之一输送到其上;以及漏电极D1,用于输出由栅电极G1控制的差分信号的其中之一;在半导体衬底上形成的第二半导体器件,所述的第二半导体器件具有:栅电极G2,用于使所述差分信号中的另一个输送到其上;以及漏电极D2,用于输出由所述的栅电极G2控制的差分信号中的另一个,其中:将漏电极D1和第二漏电极D2设置得较接近,从而使其在预定的频率上,等价于漏电极D1通过预定电阻接地,并且漏电极D2通过预定电阻接地。
 【主权项】  1.一种半导体差分电路,包括: 半导体衬底, 在所述的半导体衬底上形成的第一半导体器件,所述的第一半导体 器件具有:第一栅电极,用于使差分信号的其中之一输送到其上;以及 第一漏电极,用于输出由所述的第一栅电极控制的差分信号的其中之一; 在所述的半导体衬底上形成的第二半导体器件,所述的第二半导体 器件具有:第二栅电极,用于使所述差分信号中的另一个输送到其上; 以及第二漏电极,用于输出由所述的第二栅电极控制的差分信号中的另 一个,其中: 将所述的第一漏电极和所述的第二漏电极较接近地设置,从而使其 在预定的频率上,等价于所述的第一漏电极通过第一预定电阻接地,并 且所述的第二漏电极通过具有与所述的第一预定电阻相同的电阻值的电 阻接地。
 【页数】  49
 【主分类号】  H03F3/45
 【专利分类号】  H03F3/45;H03D7/14;H03B7/14
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