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半导体工艺设备中的含铈氧化物的陶瓷部件与涂层  
 【申请号】  CN02808947.2  【申请日】  2002-03-21
 【公开号】  CN1505695  【公开日】  2004-06-16
 【申请人】  兰姆研究公司  【地址】  美国加利福尼亚
 【共同申请人】  
 【发明人】  R·J·奥唐奈;J·E·道格尔蒂
 【国际申请】  PCT/US2002/006651 2002-03-21  【国际公布】  WO2002/079538 英 2002-10-10
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所  【代理人】  蔡胜有
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  US
 【摘要】  半导体工艺设备如等离子体腔室的一种抗腐蚀部件,其包含用一种含铈氧化物的陶瓷材料作为部件的最外层表面。含铈氧化物的陶瓷材料包含一种或多种铈氧化物作为其单一的最大组分。该部件可以完全由含铈氧化物的陶瓷材料制造,或者可供选择的,可用这种含铈氧化物的陶瓷在比如铝或者铝合金,陶瓷材料,不锈钢,或者难熔金属的衬底上提供一种层。可以通过一种技术比如等离子喷涂将该含铈氧化物的陶瓷层作为一种涂层提供。在部件和这种含铈氧化物的陶瓷涂层之间可以提供一个或者多个中间层。为了提高这种含铈氧化物的陶瓷涂层的附着力,在沉积该含铈氧化物的陶瓷涂层之前,可以对部件表面或者中间层表面进行一种表面粗糙化处理。
 【主权项】  1.一种对半导体工艺设备部件表面进行涂层的方法,该方法包 括: 在半导体工艺设备部件表面沉积含铈氧化物的陶瓷层,其中含 铈氧化物的陶瓷层包含一种或者多种铈氧化物作为其单一的最大组 分,而且其中含铈氧化物的陶瓷层形成该部件的最外表面。
 【页数】  22
 【主分类号】  C23C16/44
 【专利分类号】  C23C16/44;H01J37/32;B01J19/02
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