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集成电路器件及其制造方法  
 【申请号】  CN200410003216.X  【申请日】  2004-02-02
 【公开号】  CN1519935  【公开日】  2004-08-11
 【申请人】  三星电子株式会社  【地址】  韩国京畿道
 【共同申请人】  
 【发明人】  朴曾焕;曹明宽
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市柳沈律师事务所  【代理人】  李晓舒;魏晓刚
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  KR
 【摘要】  本发明提供一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括:集成电路衬底;位于该衬底中的第一、第二和第三隔离绝缘区,其定义出第一和第二有源区;位于第一有源区上的第一栅极电极,该第一栅极电极具有位于第一有源区上的延伸到第一绝缘区上的第一部分和位于第一绝缘区上在该第一部分的端部处的第二部分;第二栅极电极,其位于第二有源区上;以及绝缘层,其位于第一、第二和第三绝缘区上,并定义了暴露第一栅极电极的第二部分的至少一部分的第一栅极接触孔、和位于第二有源区上的暴露第二栅极电极的至少一部分的第二栅极接触孔,该第一栅极电极不具有位于该第一部分上的栅极接触孔。该方法相应地制得该集成电路器件。
 【主权项】  1.一种集成电路器件,包括: 集成电路衬底; 位于集成电路衬底中的第一、第二和第三隔离绝缘区,其定义出第一和 第二有源区; 位于第一有源区上的第一栅极电极,该第一栅极电极具有位于第一有源 区上的延伸到第一绝缘区上的第一部分和位于第一绝缘区上在该第一部分 的端部处的第二部分; 第二栅极电极,其位于第二有源区上;以及 绝缘层,其位于第一、第二和第三绝缘区上,并定义了暴露出第一栅极 电极的第二部分的至少一部分的第一栅极接触孔、和位于第二有源区上的暴 露出第二栅极电极的至少一部分的第二栅极接触孔,该第一栅极电极不具有 位于该第一部分上的栅极接触孔。
 【页数】  15
 【主分类号】  H01L27/02
 【专利分类号】  H01L27/02;H01L27/105;H01L29/78;H01L21/8234
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