| 【申请号】 |
CN03147558.2 |
【申请日】 |
2003-07-22 |
| 【公开号】 |
CN1570686 |
【公开日】 |
2005-01-26 |
| 【申请人】 |
中国科学院半导体研究所 |
【地址】 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |
| 【共同申请人】 |
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| 【发明人】 |
安俊明;李健;郜定山;夏君磊;李建光;王红杰;胡雄伟 |
| 【国际申请】 |
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【国际公布】 |
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| 【进入国家日期】 |
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| 【专利代理机构】 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
【代理人】 |
汤保平 |
| 【分案原申请号】 |
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| 【国省代码】 |
11 |
| 【摘要】 |
一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法,包括如下步骤：(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层；(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半；(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层；(5)进行抛光处理；(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层,形成条状对称结构的光波导层；(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层,整个对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。 |
| 【主权项】 |
1、一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不
灵敏的方法,其特征在于,包括如下步骤：
(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相
沉积法形成二氧化硅下包层；
(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的
高折射率SiON补偿层；
(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半；
(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层；
(5)进行抛光处理；
(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层,形成条状对称结构的光波导层；
(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层,整个
对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。 |
| 【页数】 |
15 |
| 【主分类号】 |
G02B6/13 |
| 【专利分类号】 |
G02B6/13 |
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