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集成电路器件  
 【申请号】  CN200510004377.5  【申请日】  2005-01-17
 【公开号】  CN1645613  【公开日】  2005-07-27
 【申请人】  恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  大洼宏明;菊田邦子;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司  【代理人】  朱进桂
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  在半导体集成电路器件的温度传感器部分,由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层,而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置,第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中,而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
 【主权项】  1、一种集成电路器件,包括: 衬底; 设置在所述衬底上的多层布线层,所述多层布线层包括: 两条布线; 分别连接至所述两条布线的两个插头; 由金属氧化物制成并连接在所述两个插头之间的温度监视部件; 分别连接在所述插头和所述温度监视部件之间的两个衬垫,而且 每个衬垫由下述材料形成,所述材料不形成位于这个衬垫和所述金属氧化 物之间的绝缘膜。
 【页数】  18
 【主分类号】  H01L27/04
 【专利分类号】  H01L27/04;H01L27/06;H01L23/00;G01K7/00
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