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包括无源器件屏蔽结构的集成电路器件及其形成方法  
 【申请号】  CN200510084749.X  【申请日】  2005-07-20
 【公开号】  CN1734767  【公开日】  2006-02-15
 【申请人】  三星电子株式会社  【地址】  韩国京畿道
 【共同申请人】  
 【发明人】  郑喆浩
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市柳沈律师事务所  【代理人】  陶凤波;侯宇
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  KR
 【摘要】  本发明涉及一种集成电路器件和形成其的方法。所述集成电路器件包括 半导体衬底和半导体衬底上的磁通线产生无源电子元件。伪栅极结构设置于 半导体衬底上在无源电子元件下面的区域中。伪栅极包括多个部分,每个部 分包括第一纵向延伸部分和第二纵向延伸部分。第二纵向延伸部分从第一纵 向延伸部分的一端以一角度延伸。诸部分以基本相同的角度延伸且设置以相 邻的嵌套的关系彼此偏移。
 【主权项】  1.一种集成电路器件,包括: 半导体衬底; 磁通线产生无源电子元件,在所述半导体衬底上;和 伪栅极结构,设置于所述半导体衬底上在所述无源电子元件下面的区域 中,所述伪栅极包括多个部分,每个部分包括第一纵向延伸部分和第二纵向 延伸部分,所述第二纵向延伸部分从所述第一纵向延伸部分的一端以一角度 延伸,且其中,诸部分以基本相同的角度延伸且以相邻的嵌套关系彼此偏移 地设置。
 【页数】  32
 【主分类号】  H01L27/04
 【专利分类号】  H01L27/04;H01L23/58
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