用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
半透射半反射型电极基板的制造方法、反射型电极基板及其制造方法以及在该反射型电极基板的制造方法中使用的蚀刻组合物  
 【申请号】  CN200380109548.X  【申请日】  2003-11-20
 【公开号】  CN1745464  【公开日】  2006-03-08
 【申请人】  出光兴产株式会社  【地址】  日本东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  井上一吉
 【国际申请】  2003-11-20 PCT/JP2003/014810  【国际公布】  2004-08-19 WO2004/070812 日
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司  【代理人】  孙秀武;段晓玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明通过使用能够选择性蚀刻的蚀刻液,使半透射半反射型电 极基板的制造过程简化,避免复杂的反复作业,得到不发生时间损耗 的工序,效率良好地提供半透射半反射型电极基板。本发明是制造按 顺序积层了至少包含氧化铟的金属氧化物层12和至少包含Al或Ag的 无机化合物层14的半透射半反射型电极基板的方法,其通过使用包含 磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层14的工序和使用 含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层12的工序来制造半透射半 反射型电极基板。
 【主权项】  1.半透射半反射型电极基板的制造方法,它是顺序地积层至少包 含氧化铟的金属氧化物层、至少包含Al或Ag的无机化合物层的半透 射半反射型电极基板的制造方法,其特征在于包含:使用包含磷酸、 硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层的工序、以及使用含有草 酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层的工序。
 【页数】  58
 【主分类号】  H01L21/308
 【专利分类号】  H01L21/308;H05B33/26;G02F1/1343
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站