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电荷陷入式存储单元的操作方法以及电荷陷入式集成电路  
 【申请号】  CN200510114468.4  【申请日】  2005-10-27
 【公开号】  CN1797772  【公开日】  2006-07-05
 【申请人】  旺宏电子股份有限公司  【地址】  台湾省新竹科学工业园区力行路16号
 【共同申请人】  
 【发明人】  吴昭谊
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京连和连知识产权代理有限公司  【代理人】  包红健
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  TW
 【摘要】  一种具有可储存多个位的电荷陷入结构的存储单元。一个高临界偏压 配置会施加在存储单元的电荷陷入结构的一部分上以储存高临界状态,且 一个低临界偏压配置会施加在电荷陷入结构的其它部分上以提高其临界 电压来储存低临界状态,但并不超过低临界状态的最高临界电压,以降低 存储单元不同部分之间的读取干扰效应。在另一个电荷陷入式存储单元 中,当一个高临界偏压配置施加在存储单元上以储存较高临界状态时,该 偏压配置试图使存储单元的电荷陷入结构的所有部分储存较高临界状态。 当一个低临界偏压配置施加在存储单元上以储存较低临界状态时,该偏压 配置试图使存储单元的电荷陷入结构的所有部分储存较低临界状态,但并 不超过低临界状态的最高临界电压。
 【主权项】  1.一种操作位于基底上的电荷陷入式存储单元的操作方法,其特征是 该电荷陷入式存储单元包括第一电流运载端子、第二电流运载端子、以及 包含第一陷入部分及第二陷入部分的电荷陷入结构,且每一该第一陷入部 分及该第二陷入部分,都与临界电压与至少一个高临界状态存储及低临界 状态相关,该操作方法包括: 响应命令,将该高临界状态,储存在该第一陷入部分中,其包括: 施加第一偏压配置,通过将与该第一陷入部分相关的该临界电 压,设定为该高临界状态,而在该第一陷入部分中,建立该高临界状态, 以及 施加第二偏压配置,提高与该第二陷入部分相关的该临界电压, 但不超过该低临界状态的最高临界电压。
 【页数】  42
 【主分类号】  H01L27/115
 【专利分类号】  H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/06
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