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半导体存储装置  
 【申请号】  CN200510123689.8  【申请日】  2005-11-18
 【公开号】  CN1801388  【公开日】  2006-07-12
 【申请人】  松下电器产业株式会社  【地址】  日本大阪府
 【共同申请人】  
 【发明人】  白滨政则;县政志;川崎利昭;西原龙二
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市金杜律师事务所  【代理人】  王茂华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明公开了一种半导体存储装置。从解码电路203输出的选择 信号211~214根据单元组指定电路202中的位单元100中熔丝元件的 切断状态选择性地成为高电平。于是,任一个传输门221、223成为 导通状态,进行数据的写入、读出的数据位单元组201a~201c被选择。 因此,通过依次切断单元组指定电路202内的熔丝元件,便能多次改 写存储数据。结果是,本发明,能够利用具有熔丝元件等仅能写入一 次的存储元件进行多次写入,同时还能够减小电路规模。
 【主权项】  1.一种半导体存储装置,其特征在于: 包括: 多个数据存储单元,仅能够进行依次数据写入,和 读出选择电路,具有只能够写入一次数据的选择用存储单元,根 据已写到该选择用存储单元的内容选择上述多个数据存储单元中的 任一个数据存储单元,再根据已写入的内容将数据输出到所选择的数 据存储单元中。
 【页数】  30
 【主分类号】  G11C7/00
 【专利分类号】  G11C7/00;G11C11/413;G11C16/06
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