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半导体晶片、半导体装置与非易失性存储装置的制造方法  
 【申请号】  CN200710000331.5  【申请日】  2007-01-08
 【公开号】  CN1996560  【公开日】  2007-07-11
 【申请人】  台湾积体电路制造股份有限公司  【地址】  中国台湾新竹
 【共同申请人】  
 【发明人】  李自强;杨富量;黄俊仁;李宗霖
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京林达刘知识产权代理事务所  【代理人】  刘新宇
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  TW
 【摘要】  本发明提供一种半导体晶片、半导体装置与非易失性存储装 置的制造方法。半导体装置的制造方法包括:形成一栅堆叠物于 一基底上,栅堆叠物具有一侧壁;形成一ONO堆叠物于栅堆叠物 上与侧壁旁;蚀刻ONO堆叠物以形成一ONO储存结构,ONO储存 结构具有大体L型的剖面;形成一逻辑氧化间隔物于栅堆叠物与 ONO储存结构上,使ONO储存结构中的一氮化物部分为ONO储存 结构内的一氧化物与逻辑氧化间隔物的氧化物所围绕;形成一氮 化物间隔物材料于栅堆叠物、ONO储存结构与逻辑氧化间隔物上; 蚀刻氮化物间隔材料,以形成邻近栅堆叠物与位于至少部分的 ONO储存结构与逻辑氧化间隔物上的一氮化物间隔物;于基底内 形成邻近氮化物间隔物的一源极/漏极。
 【主权项】  1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括下列步骤: 形成一栅堆叠物于一基底上,该栅堆叠物具有一侧壁; 形成一氧化物-氮化物-氧化物堆叠物于该栅堆叠物上与该 侧壁旁; 蚀刻该氧化物-氮化物-氧化物堆叠物以形成一氧化物-氮 化物-氧化物储存薄膜结构,该氧化物-氮化物-氧化物储存薄 膜结构具有大体L型的剖面且具有沿着该栅堆叠物侧壁设置的一 垂直部以及沿该基底设置的一水平部; 形成一逻辑氧化间隔物于该栅堆叠物以及该氧化物-氮化物 -氧化物储存薄膜结构上,使得该氧化物-氮化物-氧化物储存 薄膜结构中的一氮化物部分为该氧化物-氮化物-氧化物储存薄 膜结构内的一氧化物与该逻辑氧化间隔物的氧化物所围绕; 形成一氮化物间隔物材料于该栅堆叠物、该氧化物-氮化物 -氧化物储存薄膜结构与该逻辑氧化间隔物上; 蚀刻该氮化物间隔材料,以形成邻近该栅堆叠物与位于至少 部分的该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构与该逻辑氧化间 隔物上的一氮化物间隔物;以及 形成一源极/漏极于该基底内且直接地相邻于该氮化物间隔 物。
 【页数】  134
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115
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