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齐纳二极管与电路  
 【申请号】  CN201520940470.6  【申请日】  2015-11-23
 【公开号】  CN205159337U  【公开日】  2016-04-13
 【申请人】  意法半导体(鲁塞)公司  【地址】  法国鲁塞
 【共同申请人】  
 【发明人】  R·西莫拉;P·弗纳拉
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市金杜律师事务所 11256  【代理人】  王茂华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  FR
 【摘要】  本实用新型涉及齐纳二极管与电路。本实用新型提供了一种齐纳二极管,包括:形成在半导体衬底(SUB)中并且平行于在阴极区域(CD1)与阳极区域(AD1)之间的衬底的表面的齐纳二极管结、被配置成在受到适当的电压时生成垂直于齐纳二极管结的第一电场的传导区域(BDC,EDC,ED1,NW)、以及被配置成在受到适当的电压时生成在齐纳二极管结的平面中的第二电场的传导区域(GT1,GTC)。
 【主权项】  一种齐纳二极管,包括:齐纳二极管结,形成在半导体衬底(SUB,N0)中并且平行于在阴极区域(CD1#CD6)与阳极区域(NW,PW)之间的所述衬底的表面,所述阳极区域(NW,PW)具有第一传导类型,所述阴极区域由在所述衬底的所述表面上的具有第二传导类型的区域形成;以及第一传导区域(BDC,EDC,ED1#ED6,NW,PW),被配置成在受到适当的电压时生成垂直于所述齐纳二极管结的第一电场(Ez),其特征在于,所述齐纳二极管包括第二传导区域(GT1#GT6,GTC),所述第二传导区域(GT1#GT6,GTC)被配置成在受到适当的电压时生成沿着所述齐纳二极管结的平面的第二电场(Ex)。
 【页数】  15
 【主分类号】  H01L29/866
 【专利分类号】  H01L29/866;H01L29/06
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