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一种抵抗地和电源反弹噪声的数字信号处理电路  
 【申请号】  CN201920687821.5  【申请日】  2019-05-15
 【公开号】  CN210183312U  【公开日】  2020-03-24
 【申请人】  苏州锴威特半导体股份有限公司  【地址】  215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇沙洲湖科创园A1幢9层
 【共同申请人】  
 【发明人】  张胜;谭在超;丁国华;罗寅
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  南京众联专利代理有限公司  【代理人】  谢振龙
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  32
 【摘要】  本实用新型涉及一种抵抗地和电源反弹噪声的数字信号处理电路,包括第一电流源、第二电流源、第一PMOS管、第一NMOS管、电容、第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、反相器和电压锁定电路,反相器的输入端接信号输入端,反相器的输出端接电压锁定电路的第一输入端,电压锁定电路的第二输入端接信号输出端,电压锁定电路的输出端接第二电压检测点;电压锁定电路能够对第二电压检测点的电压进行锁定,以稳定地保持信号输出端输出信号的逻辑电平,本电路不仅能消除从信号输入端传输而来的通道传输噪声,同时可有效抵抗地线和电源线上产生的正、负电平脉冲的反弹噪声,电路成本低,性能稳定可靠。
 【主权项】  1.一种抵抗地和电源反弹噪声的数字信号处理电路,其特征在于:包括第一电流源、第二电流源、第一PMOS管、第一NMOS管、电容、第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、反相器和电压锁定电路,第一电流源的输入端连接电源,第一电流源的输出端连接第一PMOS管的源极,第一PMOS管和第一NMOS管的栅极相连后作为数字信号处理电路的信号输入端,第一PMOS管和第一NMOS管的漏极相连,第一NMOS管的源极连接第二电流源的输入端,第二电流源的输出端接地,电容的一端连接第一NMOS管的漏极,电容的另一端接地,第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极均连接电源,第二PMOS管和第二NMOS管的漏极相连,第二PMOS管和第二NMOS管的栅极相连后连接电容的一端,第二NMOS管的源极接地,第三PMOS管和第三NMOS管的漏极相连后作为数字信号处理电路的信号输出端,第三PMOS管和第三NMOS管的栅极相连后连接第二PMOS管的漏极,第三NMOS管的源极接地,第四PMOS管的栅极连接信号输入端,第四PMOS管的漏极连接第五PMOS管的源极,第五PMOS管和第四NMOS管的漏极连接电容的一端,在第五PMOS管和第四NMOS管的漏极连接处引出第一电压检测点,第五PMOS管和第四NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极,在第五PMOS管和第四NMOS管的栅极连接处引出第二电压检测点,第四NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极相连,第五NMOS管的源极接地,第五NMOS管的栅极连接信号输入端,反相器的输入端连接信号输入端,反相器的输出端连接电压锁定电路的第一输入端,电压锁定电路的第二输入端连接信号输出端,电压锁定电路的输出端连接第二电压检测点;电压锁定电路能够对第二电压检测点的电压进行锁定,以稳定地保持信号输出端输出信号的逻辑电平。
 【页数】  12
 【主分类号】  H03K19/094
 【专利分类号】  H03K19/094;H03K19/20
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