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铝互连层的工艺方法、清洗腔室及等离子体加工设备  
 【申请号】  CN201410090230.1  【申请日】  2014-03-12
 【公开号】  CN104916576A  【公开日】  2015-09-16
 【申请人】  北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司  【地址】  100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
 【共同申请人】  
 【发明人】  李俊杰
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112  【代理人】  彭瑞欣;张天舒
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  11
 【摘要】  本发明提供的铝互连层的工艺方法、清洗腔室及等离子体加工设备,其包括以下步骤:铝刻蚀步骤,利用刻蚀气体刻蚀晶片的铝金属层,刻蚀气体包括氯气;氯气去除步骤,利用碱性溶液去除晶片表面上残留的氯气,之后借助吹扫气体风干晶片表面的残液。本发明提供的铝互连层的工艺方法,其在室温环境下即可实现去除晶片表面上残留的氯气,从而不仅可以避免高温环境会对晶片上的器件产生不良热影响,而且可以简化工艺流程和设备结构,进而可以提高工艺效率和设备的制造成本。
 【主权项】  一种铝互连层的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:铝刻蚀步骤,利用刻蚀气体刻蚀晶片的铝金属层,所述刻蚀气体包括氯气;氯气去除步骤,利用碱性溶液去除晶片表面上残留的氯气,之后借助吹扫气体风干晶片表面的残液。
 【页数】  11
 【主分类号】  H01L21/768
 【专利分类号】  H01L21/768;H01L21/67
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