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发光装置  
 【申请号】  CN201480069840.1  【申请日】  2014-12-17
 【公开号】  CN105849796A  【公开日】  2016-08-10
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  三宅博之;肥塚纯一;神长正美;岛行德;山崎舜平
 【国际申请】  2014-12-17 PCT/IB2014/066992  【国际公布】  2015-07-02 WO2015/097595 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  金红莲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅极重叠的第一半导体区域;与源极或漏极接触的第二半导体区域;以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
 【主权项】  一种发光装置,包括:包括发光元件、第一晶体管以及第二晶体管的像素;生成包含从所述像素取出的电流值的信号的第一电路;以及根据所述信号校正图像信号的第二电路,其中,所述第一晶体管根据所述图像信号控制对所述发光元件的电流供应,所述第二晶体管控制从所述像素取出电流,并且,所述第一晶体管及所述第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅电极重叠的第一半导体区域;与源电极或漏电极接触的第二半导体区域;以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域。
 【页数】  101
 【主分类号】  G09G3/30
 【专利分类号】  G09G3/30;G09G3/20;H01L51/50
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