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氮化硅纳米线制备方法,氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体  
 【申请号】  CN201610972014.9  【申请日】  2016-11-03
 【公开号】  CN106477538A  【公开日】  2017-03-08
 【申请人】  清华大学  【地址】  100000 北京市海淀区清华园
 【共同申请人】  
 【发明人】  雷超;魏飞;张晨曦
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371  【代理人】  李进;王素丽
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  11
 【摘要】  本发明提供了一种氮化硅纳米线的制备方法,本发明方法中,以价低易得的硅粉为原料,无需使用催化剂,在将硅粉造粒后进行氮化反应制备氮化硅颗粒,然后通过研磨破碎、洗涤和沉降分离、干燥等简单操作,可同时得到高纯度的氮化硅纳米线以及氮化硅粉体产品,是一种简单、经济且适于工业化大批量制备氮化硅纳米线的方法。
 【主权项】  一种氮化硅纳米线制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)将粘合剂溶解后得到粘性溶液;然后,将硅粉加入粘性溶液中,并搅拌混合,得到浆料;然后,将浆料喷雾造粒,得到造粒硅粉;(2)将造粒硅粉与氮氢混合气体反应氮化,得到氮化硅块体;(3)将氮化硅块体破碎并研磨,并与洗涤剂混合搅拌后过滤,然后分别收集滤液和滤渣;将滤渣干燥,即得氮化硅粉体;将滤液离心分离,并将所得沉淀物干燥,即得氮化硅纳米线。
 【页数】  10
 【主分类号】  C01B21/068
 【专利分类号】  C01B21/068;B82Y40/00
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