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半导体集成电路器件及其制造工艺  
 【申请号】  CN95120527.7  【申请日】  1995-12-06
 【公开号】  CN1133494  【公开日】  1996-10-16
 【申请人】  株式会社日立制作所  【地址】  日本东京
 【共同申请人】  
 【发明人】  铃木夫;清田省吾;久保征治;奥山幸;白须辰美
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所  【代理人】  杜日新
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方,形成有外延层,外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。
 【主权项】  一种半导体集成电路器件,包含:在半导体衬底基片上形成第 一半导体区域;在上述的半导体衬底基片和上述的第一半导区 域上形成外延层;在上述的外延层内形成的并延伸到上述第一 半导体区域的元件隔离绝缘薄膜;在上述的外延层上形成MI S场效应晶体管的栅绝缘薄膜;在上述的栅绝缘薄膜上形成上 述的MIS场效应晶体管的栅极;在上述的外延层内形成一对 第二半导体区域以构成上述的MIS场效应晶体管的源/漏区 ;其中上述的外延层具有的厚度大于上述的第二半导体区域的 深度,和其中上述的外延层具有的杂质浓度低于上述的第一半 导体区域的杂质浓度;和第三半导体区域在上述的外延层内的 预定深度的位置上形成,具有的导电类型与上述的第二半导体 区域的导电类型相反而杂质浓度高于上述的外延层的杂质浓度 ;其中上述的第三半导体区域是在比上述的第二半导体区域浅 的位置上形成以致和上述的第二半导体区域接触。
 【页数】  88
 【主分类号】  H01L27/105
 【专利分类号】  H01L27/105;H01L21/8239;H01L21/205
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