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堆叠式半导体器件  
 【申请号】  CN200510081036.8  【申请日】  2005-06-28
 【公开号】  CN1716598  【公开日】  2006-01-04
 【申请人】  尔必达存储器股份有限公司  【地址】  日本东京
 【共同申请人】  
 【发明人】  深石宗生;斋藤英彰;萩原靖彦;水野正之;池田博明;柴田佳世子
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司  【代理人】  朱进桂
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  一种堆叠式半导体器件,包括:多个半导体芯片以及贯穿所述至 少一个半导体芯片的导电通路。将所述半导体芯片堆叠在一起。通过 所述导电通路将所述半导体芯片电连接,所述每一个导电通路具有贯 穿对应所述半导体芯片的多个贯通连接。
 【主权项】  1.一种堆叠式半导体器件,包括: 多个半导体芯片,所述半导体芯片堆叠在一起;以及 贯穿所述至少一个半导体芯片的导电通路; 其特征在于,其中通过所述导电通路将所述半导体芯片电连接, 所述每一个导电通路具有贯穿对应所述半导体芯片的多个贯通连接。
 【页数】  29
 【主分类号】  H01L25/00
 【专利分类号】  H01L25/00
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